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聚酰亚胺薄膜绕包铜扁线耐电晕性能的研究
引用本文:刘佳音,唐文进,周升,杨名波,陈琛.聚酰亚胺薄膜绕包铜扁线耐电晕性能的研究[J].绝缘材料,2014(1).
作者姓名:刘佳音  唐文进  周升  杨名波  陈琛
作者单位:株洲时代新材料科技股份有限公司;
摘    要:通过对聚酰亚胺薄膜绕包铜扁线的工艺研究,分析了聚酰亚胺薄膜绕包铜扁线的耐电晕性能。结果表明:影响聚酰亚胺薄膜绕包铜扁线耐电晕性能的主要因素为烧结温度、绕包张力和红外辐射炉温度。当烧结温度为230℃,绕包张力为8 N,红外辐射炉温度为450℃时,聚酰亚胺薄膜绕包铜扁线的耐电晕性能最佳。

关 键 词:电磁线  烧结工艺  耐电晕性能
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