| 新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT |
| |
| 引用本文： | 陈震,和致经,魏珂,刘新宇,吴德馨.新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT[J].半导体学报,2004,25(4). |
| |
| 作者姓名： | 陈震 和致经 魏珂 刘新宇 吴德馨 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院微电子中心,北京,100029 |
| |
| 摘 要： | 设计并制作了双异质结双平面掺杂的Al0.24Ga0.76As/In0.22Ga0.78As/Al0.24Ga0.76As功率PHEMT器件,采用双选择腐蚀栅槽结构,有效提高了PHEMT器件的输出电流和击穿电压.对于1μm栅长的器件,最大输出电流为500mA/mm,跨导为275mS/mm,阈值电压为-1.4V,最大栅漏反向击穿电压达到了33V.研究结果表明,在栅源间距一定时,栅漏间距对于器件的输出电流、跨导和击穿电压有很大关系,是设计功率PHEMT的关键之一.
|
| 关 键 词： | PHEMT 双平面掺杂 双选择腐蚀栅槽 击穿电压 |
A New Kind of Double Heterojunction Double Planar Doped Power PHEMTs |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
