| 非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT |
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| 引用本文： | 陈堂胜,焦刚,薛舫时,曹春海,李拂晓.非掺杂AlGaN/GaN微波功率HEMT[J].半导体学报,2004,25(1). |
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| 作者姓名： | 陈堂胜 焦刚 薛舫时 曹春海 李拂晓 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | 报道了研制的AlGaN/GaN微波功率HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂AlGaN/GaN异质结构,器件工艺采用了Ti/Al/Ni/Au欧姆接触和Ni/Au肖特基势垒接触以及SiN介质进行器件的钝化.研制的200μm栅宽T型布局AlGaN/GaN HEMT在1.8GHz,Vds=30V时输出功率为28.93dBm,输出功率密度达到3.9W/mm,功率增益为15.59dB,功率附加效率(PAE)为48.3%.在6.2GHz,Vds=25V时该器件输出功率为27.06dBm,输出功率密度为2.5W/mm,功率增益为10.24dB,PAE为35.2%.
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| 关 键 词： | 宽禁带半导体 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 微波大功率 |
Undoped AlGaN/GaN Microwave Power HEMT |
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