| 利用固相反应法在硅片上制备硅酸锌发光薄膜及表征 |
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| 引用本文： | 季振国,刘坤,向因,宋永梁,叶志镇.利用固相反应法在硅片上制备硅酸锌发光薄膜及表征[J].半导体学报,2004,25(7). |
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| 作者姓名： | 季振国 刘坤 向因 宋永梁 叶志镇 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用与硅集成工艺相兼容的固相反应方法在硅衬底上制备了未经掺杂及掺锰的硅酸锌薄膜.XRD测试和UV-Vis吸收谱测试证明在高于880℃的温度下热处理,可以获得结晶状态很好的硅酸锌薄膜.光致发光光谱分析表明,未掺杂的薄膜在紫外波段有较弱的发射,而掺锰的硅酸锌薄膜在可见光波段有很强的光致发射.由于硅酸锌薄膜在高温下非常稳定,可以与硅集成电路工艺兼容,而且发光强度高,因此在制作硅基光电集成器件方面有非常大的应用前景.
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| 关 键 词： | 硅酸锌 硅基光电 光致发光谱 固相反应 |
Photoluminescent Zinc Silicate Films Prepared on Silicon Wafer by Solid-Phase Reaction |
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