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T形结构在位测量薄膜中残余张应力的理论研究
引用本文:徐方迁,徐联,何世堂.T形结构在位测量薄膜中残余张应力的理论研究[J].半导体学报,2004,25(5).
作者姓名:徐方迁  徐联  何世堂
作者单位:1. 中国科学院声学研究所,北京,100080;华北科技学院电子信息工程系,北京,101601
2. 中国科学院声学研究所,北京,100080
基金项目:中国科学院知识创新工程项目
摘    要:给出了考虑梁的轴向载荷情况下理论计算公式的推导过程,在变形较大时两种公式计算结果最大相差9.65%.用LPCVD技术制作了几种大小不同的T形梁结构,给出了残余张应力与杨氏模量比值.

关 键 词:应力    变形

Study of In Situ Measurement of Residual Tensile Stress in Thin Films for T-Shaped Microstructures
Abstract:
Keywords:
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