| Flash存储器抗60Co γ射线总剂量能力的分析 |
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| 引用本文： | 刘远飞,刘海涛,李鹏程.Flash存储器抗60Co γ射线总剂量能力的分析[J].半导体技术,2018,43(6):468-472. |
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| 作者姓名： | 刘远飞 刘海涛 李鹏程 |
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| 作者单位： | 北京遥测技术研究所,北京,100076;北京遥测技术研究所,北京,100076;北京遥测技术研究所,北京,100076 |
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| 摘 要： | 为了比对分析多家厂商生产的NAND型Flash存储器的抗辐照能力和数据保持能力,选择了3种规格(代号为A,B和C)的商业级Flash存储器作为研究对象,设计了故障测试算法,研究了3种Flash存储器的抗6Co γ射线总剂量的能力.首先研究了存储器经常出现的各种故障模型,并设计了相应的故障测试算法;其次搭建了以数字信号处理器(DSP)为核心的硬件测试电路;最后以6Co γ射线作为器件的辐照源,利用设计好的故障测试算法对辐照环境下的Flash存储器在总剂量值每增加10 krad (Si)后进行一次故障检测.结果显示,B和C器件在总剂量值达到20 krad (Si)时开始出现故障,40 krad (Si)时出现数据的0→1翻转,70 krad(Si)时翻转率高于2％;A器件在40 krad (Si)时开始出现故障,70 krad (Si)时出现0→1翻转,翻转率为0.6％.从抗辐照能力和数据保持能力两个角度观察认为,商业级的A器件要优于B和C器件.
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| 关 键 词： | Flash存储器 总剂量 故障分析 数据保持性能 抗辐照能力 |
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