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| 热电子应力下nMOSFET中复合电流的退化特性研究 | |
| 作者单位： | ;1.西安邮电大学电子工程学院 |
| 摘 要： | 复合电流曲线面积S这一参数被引入来研究了热电子应力下n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)中复合电流的退化特性。电子注入应力中,复合电流随着热电子应力后峰值变小并且曲线展宽。基于对S变化的分析,发现这种变化归因于热电子应力过程中,部分热电子占据了部分界面陷阱使得有效的界面态浓度Nit变小,同时另一部分注入进栅漏交叠区的氧化层中而使得有效的漏端电压UD增加。进一步发现,S的变化量△S与应力时间在双对数坐标下成线性关系:△S∝t~a,其中a=0.6。 |
| 关 键 词： | 界面陷阱 复合电流 热电子应力 n型金属氧化物半导体场效应晶体管 |
Degradation of Recombination Current under the Hot Electron Stress in nMOSFET's |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
