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基于GaN HEMTs的S波段大功率固态功放组件设计
引用本文:彭恩超,张瑞.基于GaN HEMTs的S波段大功率固态功放组件设计[J].中国电子科学研究院学报,2019,14(2).
作者姓名:彭恩超  张瑞
作者单位:中国电子科技集团公司第三十八研究所,合肥,230088;安徽省天线与微波工程实验室,合肥,230088
摘    要:

关 键 词:功放组件  氮化镓  高电子迁移率晶体管  S波段  雷达  大功率
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