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16×16纳米陶瓷/聚合物复合敏感膜热释电面阵研制
引用本文:李金华,袁宁一,陈王丽华.16×16纳米陶瓷/聚合物复合敏感膜热释电面阵研制[J].红外技术,2003,25(3):45-48.
作者姓名:李金华  袁宁一  陈王丽华
作者单位:1. 江苏工业学院,信息科学系功能材料实验室,江苏,常州,213016
2. 香港理工大学,应用物理系及材料研究中心,香港,九龙
摘    要:用三维集成CMOS工艺研制了 16× 16有机 /无机复合敏感膜红外热释电面阵。用掺钙和镧的钛酸铅 (PCLT)纳米粉粒与聚偏氟乙烯 三氟乙烯 P(VDF TrFE) ]均匀复合 ,作面阵的敏感膜。用PMOS场效应管作热释电元件的阻抗转换 ,用双 16位移位寄存器作敏感元件信号读出的选址。用 6μm厚的聚烯亚胺薄膜作为热释电面阵与CMOS读出电路间的热隔离。用 4 0nm厚的Ni Cr膜作面阵的上电极及吸收层。测得该面阵单元在 6 0 0Hz下探测率峰值为 2 .6× 10 7cmHz1/2 /W。

关 键 词:红外成像  热释电阵列  复合敏感膜
文章编号:1001-8891(2003)03-0045-04
修稿时间:2002年12月2日

Prepartion of 16×16 Pyroelectric Array with PCLT/P(VDF-TrFE) Sensing Film
LI Jin hua ,YUAN Ning yi ,H.L.W. CHEN.Prepartion of 16×16 Pyroelectric Array with PCLT/P(VDF-TrFE) Sensing Film[J].Infrared Technology,2003,25(3):45-48.
Authors:LI Jin hua  YUAN Ning yi  HLW CHEN
Affiliation:LI Jin hua 1,YUAN Ning yi 1,H.L.W. CHEN 2
Abstract:
Keywords:infrared imaging    pyroelectric array    homogenous sensing film
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