| 直流磁控溅射氧化铟锡薄膜的低温等离子退火研究 |
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| 引用本文： | 商世广,朱长纯.直流磁控溅射氧化铟锡薄膜的低温等离子退火研究[J].西安交通大学学报,2007,41(2):236-240. |
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| 作者姓名： | 商世广 朱长纯 |
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| 作者单位： | 西安交通大学电子与信息工程学院,710049,西安 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 提出了一种可显著改善室温下直流磁控溅射氧化铟锡(ITO)薄膜晶体结构、光学和电学性能的后处理方法,将ITO薄膜分别置于氩气、氨气和氧气中进行低温等离子体退火处理.同单纯的退火处理相比,在3种气氛下,低温等离子退火均可使室温溅射沉积的ITO薄膜在相对低的温度(150℃)时,由非晶态转变为晶态,其相应的电学和光学性能都有较大的提高.实验证明:氨气气氛下退火温度为350℃时,玻璃衬底上ITO薄膜在波长为600 nm的可见光区内的透光率可达88.5%;薄膜表面的针刺很少,表面平整度小于2.08 nm;方块电阻由348.7Ω降到66.8Ω,相应的电阻率由4.1×10-3Ω.cm降到7.9×10-4Ω.cm.该方法更能满足柔性有机聚合衬底的ITO薄膜对低温退火的要求.
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| 关 键 词： | 氧化铟锡薄膜 磁控溅射 方块电阻 |
| 文章编号： | 0253-987X（2007）02-0236-05 |
| 收稿时间： | 2006-05-31 |
| 修稿时间： | 05 31 2006 12:00AM |
Research on Low Temperature Plasma Annealing of Indium Tin Oxide Films Prepared by Direct Current Magnetron Sputtering |
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| Shang Shiguang,Zhu Changchun.Research on Low Temperature Plasma Annealing of Indium Tin Oxide Films Prepared by Direct Current Magnetron Sputtering[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,2007,41(2):236-240. |
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| Authors: | Shang Shiguang Zhu Changchun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | indium tin oxide film magnetron sputtering square resistance |
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