| GaN材料中离子注入的研究进展 |
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| 引用本文： | 罗海林,王琼.GaN材料中离子注入的研究进展[J].材料导报,1999,13(2):27-29. |
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| 作者姓名： | 罗海林 王琼 |
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| 作者单位： | 武汉大学理学院加速器实验室，武汉大学理学院加速器实验室，武汉大学理学院加速器实验室，武汉大学理学院加速器实验室 武汉 430072，武汉 430072，武汉 430072，武汉 430072 |
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| 摘 要： | 综述了ＧａＮ材料中离子注入的研究进展，重点介绍了离子注入技术在ＧａＮ材料中的发光（ＰＬ，ＥＬ，ＣＬ）研究，注入隔离ｐ－ｇａｊｆ／ｎ－型掺杂和深能级缺陷研究中的应用。
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| 关 键 词： | 离子注入 发光 掺杂 深能级缺陷 氮化镓 |
Development of Ion-implantation Research in Gallium Nitride Material |
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| Luo Hailin et al.Development of Ion-implantation Research in Gallium Nitride Material[J].Materials Review,1999,13(2):27-29. |
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| Authors: | Luo Hailin |
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| Affiliation: | Luo Hailin et al |
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| Abstract: | In this paper,we present a review of the application of the ion-implantatin technology in GaN ma-terials, with emphasis on its application in studies on luminescences (PL. EL. CL). on implantation isolation,on n-/p-doing and on deep-level defects. |
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| Keywords: | Gallium Nitride ion-implantation luminescence implantation-isolation dogping deep-level derects |
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