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| 掺硼浓度对间歇法生长硼掺杂纳米金刚石膜的影响 | |
| 引用本文： | 姜兆炎,彭鸿雁,姜宏伟,尹龙承,胡巍.掺硼浓度对间歇法生长硼掺杂纳米金刚石膜的影响[J].牡丹江师范学院学报(自然科学版),2011(3):19-21. |
| 作者姓名： | 姜兆炎 彭鸿雁 姜宏伟 尹龙承 胡巍 |
| 作者单位： | 牡丹江师范学院新型炭基功能与超硬材料省重点实验室,黑龙江牡丹江,157011 |
| 基金项目： | 黑龙江省自然科学基金项目，黑龙江省科技攻关项目，金刚石薄膜电极电化学性能研究 |
| 摘 要： | 采用直流热阴极等离子体化学气相沉积(直流热阴极PCVD)法,以硼酸三甲酯为硼源,通过金刚石膜的间歇式生长过程,制备硼掺杂纳米金刚石膜,研究不同的硼源流量对硼掺杂纳米金刚石膜的影响,并用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、X射线衍射仪对样品进行了表征. |
| 关 键 词： | 直流热阴极 PCVD 间歇式 硼酸三甲酯 |
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