| 聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光 |
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| 引用本文： | 杨正,靳志伟,陈建军,饶先花,尹韶云,吴鹏.聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光[J].光学精密工程,2019,27(2). |
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| 作者姓名： | 杨正 靳志伟 陈建军 饶先花 尹韶云 吴鹏 |
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| 作者单位： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 ,重庆400714;跨尺度制造技术重庆市重点实验室 ,重庆400714;中国科学院重庆绿色智能技术研究院 ,重庆400714;跨尺度制造技术重庆市重点实验室 ,重庆400714;中国科学院重庆绿色智能技术研究院 ,重庆400714;跨尺度制造技术重庆市重点实验室 ,重庆400714;中国科学院重庆绿色智能技术研究院 ,重庆400714;跨尺度制造技术重庆市重点实验室 ,重庆400714;中国科学院重庆绿色智能技术研究院 ,重庆400714;跨尺度制造技术重庆市重点实验室 ,重庆400714;中国科学院重庆绿色智能技术研究院 ,重庆400714;跨尺度制造技术重庆市重点实验室 ,重庆400714 |
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| 基金项目： | 国家自然科学青年基金资助项目 |
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| 摘 要： | 为进一步提高聚酰亚胺薄膜光学器件的表面质量,提出了一种聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光方法,对其抛光原理和抛光实验进行了研究。利用光刻胶流体的低表面张力及流动特性,通过在聚酰亚胺薄膜表面涂覆光刻胶对其表面缺陷进行填补;结合聚酰亚胺与光刻胶的反应离子高各向异性等比刻蚀工艺,将光刻胶光滑平整表面高保真刻蚀转移至聚酰亚胺表面,从而实现聚酰亚胺薄膜的反应离子刻蚀抛光。实验结果表明:PV、RMS分别为1.347μm和340nm的粗糙表面,通过二次抛光其粗糙度可降低至75nm和13nm;PV、RMS分别为61nm和8nm的表面,其粗糙度可降低至9nm和1nm。该抛光方法能有效提高聚酰亚胺薄膜的表面光洁度,可为以聚酰亚胺薄膜为代表的高分子柔性光学器件的精密加工提供新的工艺思路。
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| 关 键 词： | 抛光 聚酰亚胺 光刻胶 反应离子刻蚀 |
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