| SiC薄膜高温压力传感器 |
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| 引用本文： | 朱作云,李跃进,杨银堂,柴常春,贾护军,韩小亮,王文襄,刘秀娥,王麦广.SiC薄膜高温压力传感器[J].传感器与微系统,2001,20(2):1-3. |
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| 作者姓名： | 朱作云 李跃进 杨银堂 柴常春 贾护军 韩小亮 王文襄 刘秀娥 王麦广 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学 微电子研究所,
2. 宝鸡传感器研究所, |
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| 摘 要： | SiC是制造高温半导体压力传感器的理想材料。介绍了在Si衬底上外延生长 3C -SiC薄膜和用它制作的SiC高温压力传感器 ,并对研制结果进行了分析。简单介绍了其它几种SiC压力传感器的特点、结构和制作方法。
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| 关 键 词： | 压力传感器 高温 碳化硅 薄膜 |
| 文章编号： | 10000-9787(2001)02-0001-03 |
| 修稿时间： | 2000年9月19日 |
High temperature pressure sensor based on SiC films |
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| ZHU Zuo-yun,LI Yue-jin,YANG Yin-tang,ChAI Chang-chun,JIA Hu-jun,HAN Xiao-liang,WANG Wen-xiang,LIU Xiu-e,WANG Mai-guang.High temperature pressure sensor based on SiC films[J].Transducer and Microsystem Technology,2001,20(2):1-3. |
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| Authors: | ZHU Zuo-yun LI Yue-jin YANG Yin-tang ChAI Chang-chun JIA Hu-jun HAN Xiao-liang WANG Wen-xiang LIU Xiu-e WANG Mai-guang |
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| Affiliation: | ZHU Zuo-yun 1,LI Yue-jin 1,YANG Yin-tang 1,CHAI Chang-chun 1,JIA Hu-jun 1,HAN Xiao-liang 1,WANG Wen-xiang 2,LIU Xiu-e 2,WANG Mai-guang 2 |
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| Abstract: | SiC is an ideal material for manufacturing higy temperature pressure sensor.The films of cubic SiC are heteroepitaxially grown on Si substrates for SiC high temperature pressure sensor.The characteristics,structure,manufacture and results of some types of SiC pressure sensors are briefly introduced. |
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| Keywords: | pressure sensor high temperature SiC films |
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