| a—Si1—xGdx薄膜中Gd^3＋离子的补偿作用 |
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| 引用本文： | 刘凤敏,奇莉.a—Si1—xGdx薄膜中Gd^3＋离子的补偿作用[J].北京机械工业学院学报,1996,11(2):8-13. |
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| 作者姓名： | 刘凤敏 奇莉 |
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| 作者单位： | 基础部，基础部，基础部 |
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| 摘 要： | 本文基于对电子束蒸发的ａ－Ｓｉ１－ｘＧｄｘ薄膜的光吸收，变温电导特性和ＥＳＲ实验研究的结果，对Ｇｄ＾３＋离子的作用进行了分析研究。Ｇｄ原子的外壳层５ｄ＾１６ｓ＾２产生轨道杂化，在ａ－Ｓｉ网格中形成五配位的Ｇｄ＾３＋离子。Ｇｄ＾３＋离子的杂化轨道除与网格中的Ｓｉ原子键合外，还能与Ｓｉ的悬挂键Ｓｉ３＾０键合，起补偿悬挂键的作用。Ｇｄ＾３＋离子的角动量Ｊ的多重态间的跃迂吸收，改变了薄膜的近红外吸收特性。
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| 关 键 词： | 非晶硅薄膜 稀土离子 薄膜 |
Compensation Behaviour of Gd~(3+)lons in a-Si_(1-x)Gd_xFilms |
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| Liu Fengmin Qi Li Gan Runjin.Compensation Behaviour of Gd~(3+)lons in a-Si_(1-x)Gd_xFilms[J].Journal of Beijing Institute of Machinery,1996,11(2):8-13. |
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| Authors: | Liu Fengmin Qi Li Gan Runjin |
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| Affiliation: | Liu Fengmin Qi Li Gan Runjin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | a-Si fitm Rare Earth Ion Optical Obsorption ESR Dangling Bond |
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