| 发射区底切对倒置结构InP/GaAsSb/InP DHBT性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 顾磊,熊德平,周守利,彭银生.发射区底切对倒置结构InP/GaAsSb/InP DHBT性能的影响[J].半导体技术,2016,41(12):913-917. |
| |
| 作者姓名： | 顾磊 熊德平 周守利 彭银生 |
| |
| 作者单位： | 杭州萧山技师学院,杭州,311201;广东工业大学物理与光电工程学院,广州,510006;浙江工业大学信息工程学院,杭州,310023 |
| |
| 基金项目： | 广东省科技计划资助项目(2015B010112002)，广州市科技计划资助项目(2016201604030035). |
| |
| 摘 要： | 基于考虑载流子弹道输运等非局域传输瞬态效应的流体动力学模型,数值模拟计算了集电区在上面发射区在下面的倒置InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)器件的直流输出特性和高频性能.计算结果表明:由于集电区台面面积小,集电区在上的倒置InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管有较高的高频性能;对于发射区在下面与基区接触面积大导致较多的基区载流子复合而使器件的增益偏低问题,可以考虑掩埋侧边腐蚀工艺底切发射区的技术来减少发射区和基区的接触面积,从而减少复合改善器件的增益特性.
|
| 关 键 词： | InP/GaAsSb 倒置DHBT 流体动力学模型 底切发射区 电流阻塞效应 |
Effect of Undercut-Emitter on the Performance of Collector-Up InP/GaAsSb/InP DHBTs |
| |
| Gu Lei,Xiong Deping,Zhou Shouli,Peng Yinsheng.Effect of Undercut-Emitter on the Performance of Collector-Up InP/GaAsSb/InP DHBTs[J].Semiconductor Technology,2016,41(12):913-917. |
| |
| Authors: | Gu Lei Xiong Deping Zhou Shouli Peng Yinsheng |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | InP/GaAsSb collector-up DHBT hydrodynamics model undercut-emitter current-blocking effect |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
