Al2O3化学气相沉积工艺研究 |
| |
引用本文: | 李云贵.Al2O3化学气相沉积工艺研究[J].核动力工程,1997,18(5):477-480. |
| |
作者姓名: | 李云贵 |
| |
作者单位: | 中国核动力研究设计院 |
| |
摘 要: | 采用AlCl3H2CO2化学气相沉积(CVD)系统,在不同CVD工艺条件下,氧化铝被沉积在预涂层TiC的316LSS、石墨和钼基体上。氧化铝涂层经SEMXray和电子能谱分析表明:该涂层为正化学计量致密Al2O3。工艺研究表明:温度升高使Al2O3沉积速率迅速增加;AlCl3浓度达2%左右,沉积速率增加缓慢;CO2浓度小于10%时,沉积速率迅速下降。
|
关 键 词: | 沉积速率 化学气相沉积 化学计量 薄膜 氧化铝 |
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录! |
|