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Al2O3化学气相沉积工艺研究
引用本文:李云贵.Al2O3化学气相沉积工艺研究[J].核动力工程,1997,18(5):477-480.
作者姓名:李云贵
作者单位:中国核动力研究设计院
摘    要:采用AlCl3H2CO2化学气相沉积(CVD)系统,在不同CVD工艺条件下,氧化铝被沉积在预涂层TiC的316LSS、石墨和钼基体上。氧化铝涂层经SEMXray和电子能谱分析表明:该涂层为正化学计量致密Al2O3。工艺研究表明:温度升高使Al2O3沉积速率迅速增加;AlCl3浓度达2%左右,沉积速率增加缓慢;CO2浓度小于10%时,沉积速率迅速下降。

关 键 词:沉积速率  化学气相沉积  化学计量  薄膜  氧化铝
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