| 在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的晶格应变 |
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| 引用本文： | 王元樟,陈路,巫艳,吴俊,于梅芳,方维政,何力.在Si(211)衬底上分子束外延CdTe的晶格应变[J].激光与红外,2005,35(11):861-863. |
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| 作者姓名： | 王元樟 陈路 巫艳 吴俊 于梅芳 方维政 何力 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心,上海,200083 |
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| 摘 要： | 文章利用高分辨率X射线衍射技术对分子束外延CdTe（211）B/Si（211）材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的对称衍射面和非对称衍射面的倒易空间图,对CdTe外延层的剪切应变和正应变状况进行了分析.研究发现,对于CdTe/Si结构,随着CdTe厚度的增加,1-1-1]、01-1]两个方向的剪切角γ1-1-1]和λ01-1]都有变小的趋势,且γ1-1-1]的大小约为γ01-1]的两倍;对于CdTe/ZnTe/Si,ZnTe缓冲层的引入可以有效地降低CdTe层的剪切应变.CdTe层的正应变表现为张应变,主要来源于CdTe和Si的热膨胀系数存在差异,而在从生长温度280℃降至室温20℃的过程产生的热应变.
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| 关 键 词： | CdTe/Si 倒易点二维扫描图 剪切应变 正应变 分子束外延 |
| 文章编号： | 1001-5078（2005）11-0861-03 |
| 收稿时间： | 2005-08-26 |
| 修稿时间： | 2005-08-26 |
Lattice Strain in MBE Grown CdTe Films on Si(211) Substrates |
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| WANG Yuan-zhang,CHEN lu,WU Yan,WU Jun,YU Mei-fang,FANG Wei-zheng,HE Li.Lattice Strain in MBE Grown CdTe Films on Si(211) Substrates[J].Laser & Infrared,2005,35(11):861-863. |
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| Authors: | WANG Yuan-zhang CHEN lu WU Yan WU Jun YU Mei-fang FANG Wei-zheng HE Li |
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| Affiliation: | Research Center for Advanced Materials and Devices, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CdTe/Si two dimension reciprocal space mapping shear strain strain molecular-beam epitaxy |
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