| 基于梯度能带结构的高速非制冷中波红外HgCdTe探测器 |
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| 引用本文： | 桑茂盛,徐国庆,乔辉,李向阳.基于梯度能带结构的高速非制冷中波红外HgCdTe探测器[J].红外与毫米波学报,2022,41(6):972-979. |
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| 作者姓名： | 桑茂盛 徐国庆 乔辉 李向阳 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083;中国科学院大学，北京100049,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083 |
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| 基金项目： | Supported by the National Key Research and Development Program of China （2021YFA0715501） |
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| 摘 要： | 报道了基于梯度能带结构的高速室温中波红外HgCdTe器件，器件设计为n-on-p同质结结构，在300 K的零偏压条件下达到了1.33 ns（750 MHz）的总的响应时间，相对于非制冷的碲镉汞器件和工作于高偏压下的碲镉汞APD器件响应速度有所提高。基于一维模型的分析表明，吸收层中的组分梯度可以形成内置电场并改变了载流子的输运特性，该模型由不同组分梯度的HgCdTe器件的实验对比验证。因此，此项工作优化了高速HgCdTe中波红外探测器的设计，并为设计超快中波红外光电探测器提供了一种可行的思路。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 高速 中波红外 组分梯度 |
| 收稿时间： | 2022/3/22 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/11/11 0:00:00 |
High speed uncooled MWIR infrared HgCdTe photodetector based on graded bandgap structure |
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| SANG Mao-Sheng,XU Guo-Qing,QIAO Hui and LI Xiang-Yang.High speed uncooled MWIR infrared HgCdTe photodetector based on graded bandgap structure[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2022,41(6):972-979. |
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| Authors: | SANG Mao-Sheng XU Guo-Qing QIAO Hui and LI Xiang-Yang |
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| Keywords: | HgCdTe high speed mid-wave infrared component gradient |
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