| 数字电路抗单粒子瞬态效应的最小尺寸设计 |
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| 引用本文： | 田海燕,周晓彬,陈菊.数字电路抗单粒子瞬态效应的最小尺寸设计[J].电子与封装,2015(4):20-22. |
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| 作者姓名： | 田海燕 周晓彬 陈菊 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏无锡,214035 |
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| 摘 要： | 随着体硅CMOS电路工艺的不断缩小,数字电路在空间中使用时受到的单粒子效应越发严重。特别是高频电路,单粒子瞬态效应会使电路功能完全失效。提出了一种基于电路尺寸计算的抗单粒子瞬态效应的设计方法,主要思想是通过辐射对电路造成的最坏特性,设计电路中MOS管的尺寸,使电路在系统开销和降低软错误率之间达到一个平衡。从单粒子效应电流模型入手,计算出单粒子效应在电路中产生的电荷数,得出为抵消单粒子效应产生的电荷需要多大的电容,再折算到器件电容上,最终得到器件的尺寸。此工作为以后研制抗辐射数字电路奠定了基础,提供了良好的借鉴。
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| 关 键 词： | 辐射效应 抗辐射加固 数字电路 单粒子瞬态效应 |
Gate Sizing to Radiation Hardened for Single-event Transients in Digital Logic |
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| TIAN Haiyan,ZHOU Xiaobin,CHEN Ju.Gate Sizing to Radiation Hardened for Single-event Transients in Digital Logic[J].Electronics & Packaging,2015(4):20-22. |
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| Authors: | TIAN Haiyan ZHOU Xiaobin CHEN Ju |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | radiation effects radiation hardness digital logic single event transient |
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