GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析 |
| |
引用本文: | 李娜,袁先漳,李宁,陆卫,李志峰,窦红飞,沈学础,金莉,李宏伟,周均铭,黄绮.GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构设计与光谱分析[J].物理学报,2000,49(4):797-801. |
| |
作者姓名: | 李娜 袁先漳 李宁 陆卫 李志峰 窦红飞 沈学础 金莉 李宏伟 周均铭 黄绮 |
| |
作者单位: | (1)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083; (2)中国科学院物理研究所,北京100080 |
| |
基金项目: | 973项目!《光电功能晶体结构性能、分子设计、微结构设计与制备过程的研究》资助的课题&& |
| |
摘 要: | 通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱(PL)与计算结果进行比较.说明量子阱生长结构与量子阱能级结构的关系.欲使量子阱红外探测器的响应峰值在8μm附近,则需量子阱结构中阱宽为47nm,垒中Al含量为029.理论计算与测试结果符合得较好.
关键词:
|
关 键 词: | 砷化镓 能级结构 光谱 量子阱 红外探测器 |
收稿时间: | 1999-06-28 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|