| 基区不均匀重掺杂对Si/SiGe/Si HBT基区渡越时间的影响 |
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| 引用本文： | 张万荣,李志国,孙英华,程尧海,陈建新,沈光地.基区不均匀重掺杂对Si/SiGe/Si HBT基区渡越时间的影响[J].微电子学,2000,30(1):5-7. |
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| 作者姓名： | 张万荣 李志国 孙英华 程尧海 陈建新 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,电子工程系,北京,100022 |
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| 基金项目： | 北京市自然科学基金，北京市科技新星计划项目，国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 由于发射结（ＥＢ结）价带存在着能量差ΔＥｖ，电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定，给ＨＢＴ设计带来了更大的自由度。为减小基区电阻和防止低温载流子冻析，可增加基区浓度。但基区重掺杂导致禁带变窄，禁带变窄的非均匀性产生的阻滞电场使基区渡越时间增加，退桦了频率特性，特别是在低温下更为严重。
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| 关 键 词： | 异质结晶体管 掺杂 基区渡越时间 硅 锗化硅 HBT |
Effects of Nonuniform Heavy Doping in the Base on Base Transit Time of Si/SiGe/Si HBT's |
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| ZHANG Wan-rong,LI Zhi-guo,SUN Ying-hua,CHENG Yao-hai,CHEN Jian-xin,SHEN Guang-di.Effects of Nonuniform Heavy Doping in the Base on Base Transit Time of Si/SiGe/Si HBT's[J].Microelectronics,2000,30(1):5-7. |
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| Authors: | ZHANG Wan-rong LI Zhi-guo SUN Ying-hua CHENG Yao-hai CHEN Jian-xin SHEN Guang-di |
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