| GaN基HEMT失效热点行为研究 |
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| 引用本文： | 廖周林,区炳显,王燕平,李金晓,闫大为.GaN基HEMT失效热点行为研究[J].微电子学,2023,53(1):170-174. |
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| 作者姓名： | 廖周林 区炳显 王燕平 李金晓 闫大为 |
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| 作者单位： | 江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122 |
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| 基金项目： | 无锡市科技发展基金资助项目(WX0301B013602200004PB) |
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| 摘 要： | 研究了GaN基HEMT器件的失效热点行为。当VGS>Vth时，漏极电流ID主要为漏-源导通电流IDS,输运机制为漂移；当VGSth时，ID主要为反向栅-漏电流IGD,输运机制为与可导位错有关的Fowler-Nordheim隧穿。通过分析VGS和VDS变化对热点分布的影响，表明栅极边界耗尽沟道内形成的强横向电场与势垒层内的强垂直电场分别是IDS和IGD电流形成热点的主要原因；同时，还测量了热点的微光光谱，并根据临界电场与最大光子能量得到了电子的平均自由程，约为60 nm。
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| 关 键 词： | GaN基HEMT 失效热点 高场区 热电子 |
| 收稿时间： | 2022/2/8 0:00:00 |
Study on the Failure Hot Spots Behavior in GaN-Based HEMT |
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| LIAO Zhoulin,OU Bingxian,WANG Yanping,LI Jinxiao,YAN Dawei.Study on the Failure Hot Spots Behavior in GaN-Based HEMT[J].Microelectronics,2023,53(1):170-174. |
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| Authors: | LIAO Zhoulin OU Bingxian WANG Yanping LI Jinxiao YAN Dawei |
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| Affiliation: | Engineering Research Center of IoT Technology Applications Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, Jiangnan University, Wuxi, Jiangsu 214122, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN-based HEMT failure hot spot high field region hot electron |
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