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| 非晶硅薄膜的沉积速率研究 | |
| 引用本文： | 周顺,秦文罡,叶林,刘卫国.非晶硅薄膜的沉积速率研究[J].真空,2008,45(3):48-50. |
| 作者姓名： | 周顺 秦文罡 叶林 刘卫国 |
| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学微电子学院,陕西,西安,710071;西安工业大学光电工程学院,陕西,西安,710032 2. 西安工业大学光电工程学院,陕西,西安,710032 3. 西安电子科技大学微电子学院,陕西,西安,710071 |
| 摘 要： | 利用PECVD方法在硅片上制备了非晶硅薄膜,通过正交实验得出影响薄膜沉积速率和折射率的主要参数为气体流量和射频功率,分别研究了这两个参数对沉积速率和折射率的影响.结果表明当气体流量低于240sccm时,薄膜沉积速率随气体流量增加而增加,而折射率则随之减小;当流量大于240sccm时,沉积速率出现饱和,折射率的变化并不明显.当射频功率低于120W时,薄膜沉积速率随着功率的提高而增大,而折射率则随之减小;当功率大于120W并进一步提高时,沉积速率成下降趋势,折射率则随之增大. |
| 关 键 词： | 非晶硅 等离子体化学气相沉积 沉积速率 折射率 非晶硅薄膜 沉积速率 研究 thin films amorphous silicon 趋势 射频功率 变化 气体流量 结果 两个参数 折射率 影响 正交实验 硅片 方法 PECVD 利用 |
| 文章编号： | 1002-0322(2008)03-0048-03 |
| 修稿时间： | 2007年10月12 |
On the deposition rate of amorphous silicon thin films |
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| ZHOU Shun,QIN Wen Gang,YE Lin,LUI Wei-guo.On the deposition rate of amorphous silicon thin films[J].Vacuum,2008,45(3):48-50. | |
| Authors: | ZHOU Shun QIN Wen Gang YE Lin LUI Wei-guo |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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