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| (AlGa)As/GaAs DH激光器低温负阻的研究 | |
| 引用本文： | 王守武,顾纯学,王仲明,庄婉如,杨培生.(AlGa)As/GaAs DH激光器低温负阻的研究[J].半导体学报,1982,3(5):366-375. |
| 作者姓名： | 王守武 顾纯学 王仲明 庄婉如 杨培生 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (王守武，顾纯学，王仲明，庄婉如)，中国科学院半导体研究所(杨培生) |
| 摘 要： | 在室温至 77K范围内测量了 AlGaAs/GaAs DH激光器的正向伏安特性.发现有些激光器在低温下具有负阻的特性. 采用类 Schottky模型对DH激光器中的N-Al_(0.3)Ga_(0.7)As/n-GaAs异质结的电流传输特性进行分析,认为负阻现象是由于N型(AlGa)As层掺杂浓度偏低,N-n异质结在低温DH激光器正向偏置较大时,电子从n区隧道击穿N-n异质结势垒,或空穴从P型有源区注入N区引起的.此外N-AlGaAs层的施主杂质Sn的电离能很大也对低温负阻有贡献. |
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