| InAs／InP_（0．7）Sb_（0．3）热电子晶体管的电流增益及最高收集极电压 |
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| 引用本文： | 续竞存.InAs／InP_（0．7）Sb_（0．3）热电子晶体管的电流增益及最高收集极电压[J].固体电子学研究与进展,1995,15(1):41-44. |
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| 作者姓名： | 续竞存 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
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| 摘 要： | 分析ＩｎＡｓ／ＩｎＰ（０．７）Ｓｂ（０．３）热电子晶体管的电流增益β及最高收集极电压Ｖ（ＣＭ）。计算结果表明，β超过２０，Ｖ（ＣＭ）接近１．５Ｖ。
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| 关 键 词： | 电流增益，收集极电压，热电子晶体管，InAs／InP_（0．7）Sb_（0．3）异质结 |
Current Gain and Maximum Collector Voltage of InAs/InP_(0.7)Sb_(0.3) HET |
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| Xu Jingcun.Current Gain and Maximum Collector Voltage of InAs/InP_(0.7)Sb_(0.3) HET[J].Research & Progress of Solid State Electronics,1995,15(1):41-44. |
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| Authors: | Xu Jingcun |
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| Abstract: | This paper analyses the current gain β and maximum collector voltage VCM of InAs/InP(0.7)Sb(0.3) hot electron transistor. The calculated results showthat β exceeds 20 and VCM is near 1. 5 V. |
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| Keywords: | Current Gain Collector Voltage Hot Electron Transistor InAs/InP_(0 7)Sb_(0 3) Heterojunction |
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