| 稀氮 Ⅲ-Ⅴ族InAsN和InSbN中长波红外光电材料与器件 |
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| 引用本文： | 邱锋,胡淑红,孙常鸿,吕英飞,王奇伟,孙艳,邓惠勇,戴宁.稀氮 Ⅲ-Ⅴ族InAsN和InSbN中长波红外光电材料与器件[J].红外,2012,33(2):1-7. |
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| 作者姓名： | 邱锋 胡淑红 孙常鸿 吕英飞 王奇伟 孙艳 邓惠勇 戴宁 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究“973”计划项目(2011CBA00900,2012CB93430,2010CB93370);国家自然科学基金项目(10804117);上海市创新专项基金项目(11DZ1140500);中国科学院知识创新工程项目(KGCX2-YW-350) |
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| 摘 要： | 将少量氮原子加入Ⅲ—Ⅴ族半导体后可引起能带减小,因此这种方法可以用来实现能带结构裁剪。这种新型稀氮化物显示出了奇特的物理性质,并且具有应用于新型光电器件的潜力。特别是,备受关注的稀氮InAsN和InSbN在中长波红外光电材料上具有巨大的应用价值,并将在中长波红外器件应用领域发挥重要的作用。
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| 关 键 词： | 稀氮Ⅲ-Ⅴ族半导体 InAsN InSbN 中长波红外器件 |
| 收稿时间： | 2011/12/22 |
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