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| GaN压电效应对载流子浓度的影响 | |
| 引用本文： | 张剑平,王晓亮,孙殿照,李晓兵,付荣辉,孔梅影.GaN压电效应对载流子浓度的影响[J].半导体学报,1998,19(7):498-502. |
| 作者姓名： | 张剑平 王晓亮 孙殿照 李晓兵 付荣辉 孔梅影 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所新材料中心 |
| 摘 要： | 在ＮＨ３源ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＮ中观察到较大的双轴张应变．随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Ｈａｌ测试得到的背景电子浓度增大．本文应用ＧａＮ的压电效应对此进行了解释． |
| 关 键 词： | 半导体 氮化镓 压电效应 载流子浓度 |
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