GaAs集成电路的金属化缺陷失效定位研究

介绍了一种针对砷化镓集成电路(GaAs IC)金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构(如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极)的光发射显微及光致电阻变化(EMMI/OBIRCH)效应，再结合典型的电路原理，得到可能的电路缺陷模型与EMMI/OBIRCH结果之间的对应关系，从而快速、准确地由EMMI/OBIRCH图像得到金属化开路或者短路失效位置。案例研究结果表明，该方法可用于GaAs IC的失效定位，例如放大器、高速数字驱动电路、射频开关等，适用的失效模式包括基极金属化台阶断裂、源极金属通孔开裂形成的开路或MIM金属化桥连形成的低阻等。