| 影响微晶玻璃CMP速率主要因素的研究 |
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| 引用本文： | 李咸珍,刘玉岭,宗思邈,张伟,江焱.影响微晶玻璃CMP速率主要因素的研究[J].半导体技术,2008,33(8). |
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| 作者姓名： | 李咸珍 刘玉岭 宗思邈 张伟 江焱 |
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| 作者单位： | 河北工业大学,微电子技术与材料研究所,天津,300130 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部高等学校博士学科点专项科研基金，河北省重点学科冀教高资助项目 |
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| 摘 要： | 介绍了微晶玻璃及其化学机械抛光工艺,对其抛光机理进行了理论分析,重点对影响抛光速率和抛光质量的工艺参数转速、压力、流速作了详细的研究讨论,定量确定了最佳CMP工艺参数.在抛光液中加入了FA/O Ⅰ型活性剂以保护SiO2胶粒的双电子层结构.通过实验比较了在SiO2磨料碱性抛光液中加入CeO2对抛光速率的影响,得出了适合微晶玻璃晶片抛光的外界条件.在常温条件下工艺参数为转速60r/min、压力0.22 MPa和流速210 mL/min时,能够取得较高的抛光速率和较好的表面质量.
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| 关 键 词： | 化学机械抛光 微晶玻璃 氧化铈 |
Study on Effect Factors of Polishing Rate in the CMP Technology for Glass-Ceramics |
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| Li Xianzhen,Liu Yuling,Zong Simiao,Zhang Wei,Jiang Yan.Study on Effect Factors of Polishing Rate in the CMP Technology for Glass-Ceramics[J].Semiconductor Technology,2008,33(8). |
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| Authors: | Li Xianzhen Liu Yuling Zong Simiao Zhang Wei Jiang Yan |
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| Affiliation: | Li Xianzhen,Liu Yuling,Zong Simiao,Zhang Wei,Jiang Yan(Institute of Microelectronics Technology , Materials,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | chemical mechanical polishing glass-ceramics CeO2 |
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