静电放电对GaAs基光通信LED的影响 |
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引用本文: | 张佳琳,官鑫彬,陈选龙,李潮.静电放电对GaAs基光通信LED的影响[J].电子产品可靠性与环境试验,2023(2):28-32. |
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作者姓名: | 张佳琳 官鑫彬 陈选龙 李潮 |
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作者单位: | 工业和信息化部电子第五研究所 |
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摘 要: | GaAs基LED具有体积小、寿命长、价格低廉、工艺成熟和发光效率高等优点,因此在中短距离光纤通信系统中具有广阔的应用前景,其可靠性也日益受到关注。由于LED是静电敏感型器件,静电放电损伤是LED常见的失效现象之一。为了研究LED的静电放电失效现象和特征,对GaAs基光通信LED进行10个负向脉冲、充电电压为1 kV的人体模型静电放电实验,并研究了静电损伤对其电学特性的影响、失效区域的光发射和TEM微观形貌3个方面的内容,为判别静电失效提供了物理及工程上的判据。
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关 键 词: | 发光二极管 静电放电 失效分析 透射电子显微镜 |
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