| 离子束轰击对电子束蒸发制备二氧化钛薄膜应力的影响 |
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| 引用本文： | 陈焘,罗崇泰,王多书,刘宏开.离子束轰击对电子束蒸发制备二氧化钛薄膜应力的影响[J].真空科学与技术学报,2009,29(2). |
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| 作者姓名： | 陈焘 罗崇泰 王多书 刘宏开 |
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| 作者单位： | 兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室,兰州,730000 |
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| 基金项目： | 表面工程技术国家级重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 在硅基底上用电子束蒸发方法制备了二氧化钛薄膜.通过XRD、AFM和薄膜应力测试仪研究了离子束轰击对薄膜应力的影响规律.结果表明沉积温度为323K、沉积速率为0.2nm·s-1时,二氧化钛薄膜具有较小的应力值,平均应力为48.2MPa.用能量为113eV的离子束轰击300s时,平均应力由72.9MPa的张应力变为16.7MPa的压应力.二氧化钛薄膜的微观结构变化是影响薄膜应力的主要因素.
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| 关 键 词： | 二氧化 钛离子束轰击 张应力 压应力 薄膜 |
Ion Beam Bombardment and Variations in Stress of Ti02 Films |
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| Chen Tao,Luo Chongtai,Wang Duoshu,Liu Hongkai.Ion Beam Bombardment and Variations in Stress of Ti02 Films[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2009,29(2). |
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| Authors: | Chen Tao Luo Chongtai Wang Duoshu Liu Hongkai |
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