集成电路中栅介质膜的C-V测试误差分析及其修正模型 |
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引用本文: | 陈永珍.集成电路中栅介质膜的C-V测试误差分析及其修正模型[J].半导体技术,1994(1). |
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作者姓名: | 陈永珍 |
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作者单位: | 中国华晶电子集团公司 |
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摘 要: | 通过具有各种串联电路的MOS电容的分析测试表明:串联电阻引起MOSC-V特性畸变、失真,并与介质膜电容大小有关;串联电容使MOSC-V特性严重不稳定;而当存在电容和电阻并联的串联电路时,即使串联电路中的电阻高达1kΩ以上,只要其并联的电容远大于介质膜电容,这个串联电路的影响就可以忽略不计。也测试分析了硅衬底参数和测试环境对MOSC-V特性的影响。指出了改善测试分析准确性的各种有效途径。提出了MOSC-V特性的串联电阻修正模型。即:存在串联电阻效应的判据;MOSC-V特性失真的判据;串联电阻计算公式、电容修正公式及MOSC-V修正过程。举例说明修正模型编程的实际应用:超薄栅氧化层MOSC-V特性的修正;CMOS电路中,P阱中MO5电容C-V特性的修正。
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