| Na对SnO2-CoO-Nb2O5系压敏材料电学性能的影响 |
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| 引用本文： | 王春明,王矜奉,陈洪存,王文新,苏文斌,臧国忠,亓鹏.Na对SnO2-CoO-Nb2O5系压敏材料电学性能的影响[J].功能材料,2003,34(6):679-681. |
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| 作者姓名： | 王春明 王矜奉 陈洪存 王文新 苏文斌 臧国忠 亓鹏 |
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| 作者单位： | 山东大学,物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，50072013， |
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| 摘 要： | 研究了Na对新型(Co，Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响。当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol％时，(Co，Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从275V／mm增到919V／mm。样品的微观结构分析发现，当Na2CO3的含量从0增加到1．2mol％时，SnO2的晶粒尺寸明显的变小。晶界势垒高度测量揭示，SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因。对Na含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。掺杂0．4mol％Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数达28．4．击穿电压为755V／mm，掺杂1.2mol％Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数为11．5，击穿电压高达919V／mm，它们在中高压保护领域会有很好的应用前景。本文并指出替代Sn的受主离子Na不应处于SnO2晶格中，而是处于间界上，从而进一步解释了压敏电压急剧增高的原因。
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| 关 键 词： | 压敏材料 电学性能 碳酸钠 二氧化锡 肖特基势垒 压敏电压 |
| 文章编号： | 1001-9731(2003)06-0679-03 |
| 修稿时间： | 2002年11月25 |
Effect of Na on the electrical properties of SnO2-CoO-Nb2O5 varistor system |
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| Keywords: | sodium carbonate SnO_2 varistor Schottky barrier breakdown voltage |
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