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φ200mm太阳能电池用直拉硅单晶生长中导流系统的研究
引用本文:任丙彦,褚世君,吴鑫,于建秀,孙秀菊.φ200mm太阳能电池用直拉硅单晶生长中导流系统的研究[J].半导体学报,2008,29(9).
作者姓名:任丙彦  褚世君  吴鑫  于建秀  孙秀菊
作者单位:河北工业大学材料学院,天津,300130
摘    要:利用数值模拟,对CZ硅单晶生长系统中导流系统调整和改进.得到不同导流系统下的氩气流场和伞局温场.研究发现在导流系统中引入导流筒及冷却功能后,氩气流场得到明显的改善,晶体中纵向温度梯度均匀性改善,同液界面趋于平坦,有利于结晶潜热的散发和单晶径向电阻率的均匀性.研究表明改进导流系统能提高结品潜热散发速率,有利于提高晶体拉速.

关 键 词:数值模拟  直拉硅单晶  结晶潜热  导流筒
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