| 钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响 |
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| 引用本文： | 李诚瞻,刘丹,郑英奎,刘新宇,刘键,魏珂,和致经. 钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响[J]. 半导体学报, 2008, 29(2) |
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| 作者姓名： | 李诚瞻 刘丹 郑英奎 刘新宇 刘键 魏珂 和致经 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，中国科学院重点创新基金 |
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| 摘 要： | 提出一种新的钝化技术--采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCI:H2O=1:4:20)对AIGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后冉淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响并分析其机理.与用常规方法钝化的器件相比,经过表面顶处理再钝化,成功地抑制了 AIGaN/GaN HEMTs肖特基特性的恶化,有效地增强抑制电流崩塌效应的能力,将GaN基HEMTs的输出功率密度提高到5.2W/mm,并展现良好的电学可靠性.通过X射线光电子谱(XPS)检测预处理前后的AIGaN表面,观察到经过预处理后的AIGaN表面氧元素的含量大幅度下降.表面氧元素的含量下降,能有效地降低表面态密度和表面电荷陷阱密度,被认为是提高AIGaN/GaN HEMTs性能的主要原因.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMTs 钝化 表面预处理 初始氧化层 |
Performance Improvement of A1GaN/GaN HEMTs by Surface Treatment Prior to Si3N4 Passivation |
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| Li Chengzhan,Liu Dan,Zheng Yingkui,Liu Xinyu,Liu Jian,Wei Ke,He Zhijing. Performance Improvement of A1GaN/GaN HEMTs by Surface Treatment Prior to Si3N4 Passivation[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 29(2) |
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| Authors: | Li Chengzhan Liu Dan Zheng Yingkui Liu Xinyu Liu Jian Wei Ke He Zhijing |
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