| SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的ICP通孔刻蚀 |
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| 引用本文： | 任春江,陈堂胜,柏松,徐筱乐,焦刚,陈辰.SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的ICP通孔刻蚀[J].半导体学报,2008,29(12). |
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| 作者姓名： | 任春江 陈堂胜 柏松 徐筱乐 焦刚 陈辰 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016 |
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| 摘 要： | 利用ICP对研制的SiC衬底上AlGaN/GaN HEMT刻蚀获得了深度为50μm的接地通孔.器件通孔制作前首先用机械研磨的方法将衬底减薄至50μm,在背面蒸发Ti/Ni并电镀Ni至3μm作为刻蚀阻挡层;之后利用SF6/O2混合气体的电感耦合等离子体对SiC衬底进行了刻蚀;最后将Cl2和BCl3混合气体的ICP刻蚀技术运用于AlGaN/GaN外延材料的刻蚀,完成了深度为50μm的AlGaN/GaN HEMT通孔制作,通孔侧壁具有一定的斜率,适合良好的金属覆盖以形成器件正面和背面的连接.这一技术非常适合AlGaN/GaN HEMT及其单片集成电路的研制.
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| 关 键 词： | 碳化硅 六氟化硫 电感耦合等离子体刻蚀 |
Inductively Coupled Plasma via Hole Etching of AlGaN/GaN HEMTs on SiC Substrate |
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| Ren Chunjiang,Chen Tangsheng,Bai Song,Xu Xiaole,Jiao Gang,Chen Chen.Inductively Coupled Plasma via Hole Etching of AlGaN/GaN HEMTs on SiC Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(12). |
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| Authors: | Ren Chunjiang Chen Tangsheng Bai Song Xu Xiaole Jiao Gang Chen Chen |
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