| 6H-SiC衬底上异质外延3C-SiC薄膜的结构研究 |
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| 引用本文： | 林涛,李青民,李连碧,杨莺,陈治明.6H-SiC衬底上异质外延3C-SiC薄膜的结构研究[J].半导体学报,2008,29(5). |
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| 作者姓名： | 林涛 李青民 李连碧 杨莺 陈治明 |
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| 作者单位： | 西安理工大学电子工程系,西安,710048 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部高等学校博士学科点专项科研基金，中国博士后科学基金 |
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| 摘 要： | 以SiH4和C3H8为反应源,在1250℃下,采用低压热壁化学气相淀积法在6H-SiC衬底上异质外延生长了3C-siC薄膜.扫描电镜和原子力显微镜测试结果显示,样品表面光滑、无明显岛状结构物质.剖面透射电镜照片显示SiC外延层致密均匀、界面平整,厚度约为50nm.高分辨透射电镜结果显示,衬底与外延层分别为排列整齐的6H-SiC结构和3C-SiC结构,两者过渡平坦、界面处无其他晶型.选区电子衍射花样标定结果再次说明外延薄膜为闪锌矿结构的3C-SiC,计算的晶格常数为0.4362nm.
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| 关 键 词： | 碳化硅 化学气相沉积 异质外延 透射电子显微镜 |
A Structural Investigation of 3C-SiC Film Hetero-Epitaxial Grown on 6H-SiC Substrate |
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| Lin Tao,Li Qingmin,Li Lianbi,Yang Ying,Chen Zhiming.A Structural Investigation of 3C-SiC Film Hetero-Epitaxial Grown on 6H-SiC Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(5). |
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| Authors: | Lin Tao Li Qingmin Li Lianbi Yang Ying Chen Zhiming |
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