| 基于ARM9内核Processor对外部NAND FLASH的控制实现 |
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| 引用本文： | 夏涛.基于ARM9内核Processor对外部NAND FLASH的控制实现[J].现代电子技术,2007,30(11):186-188. |
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| 作者姓名： | 夏涛 |
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| 作者单位： | 上海交通大学,微电子学院,上海,200030 |
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| 摘 要： | 目前流行的ARM9 CPU中,没有集成NAND FLASH的控制器,可以通过使用NOR FLASH的控制器或者VLIO的控制器,实现对外部NAND FLASH的控制。实测结果显示,用8bI/O的NAND FLASH,在文件系统下读/写的速度为3MB/s,擦除的速度为65MB/s,满足现在流行手持设备对Memory的要求。
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| 关 键 词： | NAND FLASH NOR FLASH SDRAM VLIO |
| 文章编号： | 1004-373X（2007）11-186-03 |
| 收稿时间： | 2006-10-16 |
| 修稿时间： | 2006-10-16 |
Realization of NAND FLASH Control Based on ARM9 Processor |
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| XIA Tao.Realization of NAND FLASH Control Based on ARM9 Processor[J].Modern Electronic Technique,2007,30(11):186-188. |
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| Authors: | XIA Tao |
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| Affiliation: | Micro - electronics Project Professional, Shanghai Jiaotong University, Shanghai, 200030, China |
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| Abstract: | In popular ARM9 CPU,the controller which is not integrated NAND FLASH can control external NAND FLASH by using NOR FLASH or VLIO.Test result shows,with 8bit data width NAND FLASH,the read/write throughput will be 3 MB/s,and the erase speed is 65 MB/s under file system.The Memory control performance can meet hand-held device requirement. |
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| Keywords: | NAND FLASH NOR FLASH SDRAM VLIO |
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