| CVD多晶硅薄膜的脉冲染料激光退火 |
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| 引用本文： | 石万全,姚德成,刘世祥,朱美芳,曹友琦,商作起,虞加峰.CVD多晶硅薄膜的脉冲染料激光退火[J].激光与红外,1984(8). |
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| 作者姓名： | 石万全 姚德成 刘世祥 朱美芳 曹友琦 商作起 虞加峰 |
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| 作者单位： | 中国科技大学研究生院，中国科技大学研究生院，中国科技大学研究生院，中国科技大学研究生院，中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院半导体研究所 |
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| 摘 要： | 一、引言多晶硅薄膜在集成电路制造工艺中应用日趋增多,诸如利用多晶硅薄膜制造硅栅、多晶硅薄膜电阻、多晶硅引线、双极性晶体管的发射区等。多晶硅薄膜的激光退火能使其晶粒长大,使杂质电激活,可以提高多晶硅薄膜的电学性能,引起了人们的广泛重视,特别是绝缘衬底上的多晶硅薄膜经激光退火后有可能转变为单晶,给立体大规模集成电路的实现带来希望,吸引了不少活跃在这一研究领域的科学工作者。在半导体激光退火中,激光束的脉冲宽度对激光退火的结果有决定性的影响。微微秒脉冲宽度的激光束能使单晶半导体材料变成非晶材料,毫微秒脉冲宽度的激光束以熔化外延方式再结晶,使离子注入半导体单晶材料的非晶层转变为单晶,毫秒脉冲宽度的激光束(连
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