| GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究 |
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| 引用本文： | 陈小红,陈松岩,张玉清,林爱清,陈丽容,邓彩玲.GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究[J].厦门大学学报(自然科学版),2002,41(6):759-763. |
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| 作者姓名： | 陈小红 陈松岩 张玉清 林爱清 陈丽容 邓彩玲 |
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| 作者单位： | 1. 厦门大学物理系,福建,厦门,361005
2. 信息产业部电子第十三研究所,河北,石家庄,050051 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (6 0 0 0 6 0 0 4)，福建省自然科学基金 (A0 110 0 0 6 )资助项目 |
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| 摘 要： | 用低压金属有机气相外延（LP－MOCVD）在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料，并对材料进行Raman、光致发光（PL）谱的测试分析，结果表明在GaAs／InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移；PL谱峰较强，16K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰，表明了GaAs外延层的晶体质量较好。以此生长方法制备了金属－半导体场效应晶体管（MESFET），其单位跨导可达200ms/mm。该器件已经达到GaAs同质结构的器件水平。
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| 关 键 词： | MESFET器件 GaAs／InP异质材料 光致发光谱 Raman谱 金属－半导体场效应晶体管 Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料 |
| 文章编号： | 0438-0479(2002)06-0759-04 |
| 修稿时间： | 2002年3月13日 |
The Study of GaAs/InP Heteroepitaxy and MESFET |
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| CHEN Xiao-hong ,CHEN Song-yan ,ZHANG Yu-qing LIN Ai-qing ,CHEN Li-rong ,DENG Cai-ling.The Study of GaAs/InP Heteroepitaxy and MESFET[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),2002,41(6):759-763. |
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| Authors: | CHEN Xiao-hong CHEN Song-yan ZHANG Yu-qing LIN Ai-qing CHEN Li-rong DENG Cai-ling |
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| Affiliation: | CHEN Xiao-hong 1,CHEN Song-yan 1,ZHANG Yu-qing 2 LIN Ai-qing 1,CHEN Li-rong 1,DENG Cai-ling 1 |
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| Abstract: | High quality GaAs epilayers have been grown on InP substract by low pressure metal organic vapour phase epitaxy (LP-MOVPE). The measurement of Raman and PL spectra of GaAs epilayer have been carried out, which show a red shift of the LO mode resulting from the stretching stress in the GaAs epilayer; Strong PL spectrum peak, GaAs charateristic excition peak and corresponding impurity excition peak have also been detected at 16 K, which indicates the crystal is in good quality. As a result, the GaAs metal semiconductor field effect transistors (MESTET) with the transconductance of 200 ms/mm have been fabricated. The performance of our MESFET can be compared with that of the GaAs. homogeneity structure. |
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| Keywords: | GaAs/InP heteroepitaxy photoluminescence Raman MESFET |
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