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| AlxGa1—xAs中注入Be的扩散与Al浓度及退火温度的关系 | |
| 引用本文： | 青春.AlxGa1—xAs中注入Be的扩散与Al浓度及退火温度的关系[J].电子材料快报,1995(9):16-16. |
| 作者姓名： | 青春 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 半导体 掺杂 Be AlGaAs Al浓度 GaAs |
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