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| TFT有源矩阵α－Si∶H薄膜PECVD淀积工艺研究 | |
| 引用本文： | 丁晖,徐重阳,邹雪城,张少强,戴永兵,袁奇燕,万新恒.TFT有源矩阵α－Si∶H薄膜PECVD淀积工艺研究[J].微电子学,1996(6). |
| 作者姓名： | 丁晖 徐重阳 邹雪城 张少强 戴永兵 袁奇燕 万新恒 |
| 摘 要： | 分析了α－Ｓｉ∶Ｈ薄膜的质量和厚度对α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ关键性指标的影响，深入、详细地讨论了其ＰＥＣＶＤ淀积工艺，并在实验的基础上确定了最佳淀积工艺参数，从而获得了高性能的７５ｍｍ３７２×２７６像素α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ有源矩阵 |
| 关 键 词： | PECVD α－Si∶H TFT 有源矩阵 |
