| GaN HEMT工艺的X波段发射前端多功能MMIC |
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| 引用本文： | 徐 波,戈 勤,沈宏昌,陶洪琪,钱 峰.GaN HEMT工艺的X波段发射前端多功能MMIC[J].微波学报,2017,33(6):57-61. |
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| 作者姓名： | 徐 波 戈 勤 沈宏昌 陶洪琪 钱 峰 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016 |
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| 摘 要： | 采用0.25 μm GaN HEMT 工艺,研制了一款X 波段发射前端多功能MMIC,片上集成了一个单刀双掷(SPDT)开关和一个功率放大器电路。其中SPDT 开关采用对称的两路双器件并联结构,功率放大器采用三级放大拓扑结构设计,电路采用电抗匹配方式兼顾输出功率和效率。测试结果表明,在8～12 GHz 频带内,芯片发射通道饱和输出功率为38.6～40.2 dBm,功率附加效率为29%～34.5%,其中开关插入损耗约为0.8 dB,隔离度优于-45dB。该芯片面积为4 mm×2.1 mm。
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| 关 键 词： | 氮化镓 功率放大器 单刀双掷开关 发射前端 |
X Band Transmitter Front-End MMIC with GaN HEMT Technology |
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| XU Bo,GE Qin,SHEN Hong-chang,TAO Hong-qi,QIAN Feng.X Band Transmitter Front-End MMIC with GaN HEMT Technology[J].Journal of Microwaves,2017,33(6):57-61. |
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| Authors: | XU Bo GE Qin SHEN Hong-chang TAO Hong-qi QIAN Feng |
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| Affiliation: | Laboratory of Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules, No. 55 Research Institute of CETC, Nanjing 210016, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN power amplifier SPDT switch transmitter front-end |
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