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0.18um NMOS的重离子单粒子瞬态脉冲的仿真模拟
引用本文:李飞,安海华.0.18um NMOS的重离子单粒子瞬态脉冲的仿真模拟[J].电子器件,2011,34(5).
作者姓名:李飞  安海华
作者单位:西安卫光科技有限公司(国营第877厂)
摘    要:摘要:为了详细的了解纳米MOS电路中单粒子瞬变电荷收集机理,利用ISETCAD软件仿真二维模拟0.18um NMOS的单粒子瞬态脉冲。通过进行三种不同的电路连接方式和不同的粒子注入位置的仿真,得到了一系列单粒子瞬态电流脉冲(SET)与时间的关系曲线。分析了不同电路连接方式和注入位置对SET的峰值和脉宽的影响。为下一步建立SET的精确模型进行SET效应的模拟做基础的研究。

关 键 词:关键词:ISE仿真  NMOS  单粒子瞬态脉冲  单粒子注入位置

0.18um NMOS heavy ion single event transient simulation
Abstract:Abstract: For a detailed understanding of the nano-MOS Single Event Transient charge collection mechanism, simulation of the single event transient of 0.18um NMOS by using the ISETCAD software is made. By connecting three different circuits and choosing different positions of particles in the simulation, a series of single-event transient current pulse (SET) versus time is obtained. An analysis of the influence of the different circuits and positions on the pulse width and magnitude of the SET is made. A basic research has been done for establishing the precise mode of SET in the future.
Keywords:
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