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不同衬底上La0.5 Sr0.5 CoO3薄膜生长及导电性质的研究
引用本文:彭巨擘,王建禄,李丽萍,普朝光,蔡毅,张鹏翔.不同衬底上La0.5 Sr0.5 CoO3薄膜生长及导电性质的研究[J].昆明理工大学学报(理工版),2006,31(3):12-14,18.
作者姓名:彭巨擘  王建禄  李丽萍  普朝光  蔡毅  张鹏翔
作者单位:1. 昆明理工大学,光电子新材料研究所,云南,昆明,650051
2. 昆明理工大学,昆明物理所,云南,昆明,650032
摘    要:用脉冲激光沉积法(PLD)分别在Si(100),SiO2/Si(100),LaA lO3衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO3薄膜.在LaA lO3衬底上实现了La0.5Sr0.5CoO3薄膜的近外延生长,薄膜的电阻率最低.这是由于LaA lO3的晶格常数与La0.5Sr0.5CoO3最为接近.在SiO2/Si(100)衬底上生长的La0.5Sr0.5CoO3薄膜的电阻较Si(100)衬底上薄膜小,XRD表明SiO2/Si(100)衬底更易于薄膜的择优生长.

关 键 词:脉冲激光沉积法(PLD)  电阻率  钙钛矿氧化物
文章编号:1007-855X(2006)03-0012-03
收稿时间:2005-05-26
修稿时间:2005-05-26

Study of the Growth and Electrical Conductivity of La0.5 Sr0.5 CoO3 Thin Film on Different Substrates
PENG Ju-bo,WANG Jian-lu,LI Li-ping,PU Chao-guang,CAI Yi,ZHANG Peng-xiang.Study of the Growth and Electrical Conductivity of La0.5 Sr0.5 CoO3 Thin Film on Different Substrates[J].Journal of Kunming University of Science and Technology(Natural Science Edition),2006,31(3):12-14,18.
Authors:PENG Ju-bo  WANG Jian-lu  LI Li-ping  PU Chao-guang  CAI Yi  ZHANG Peng-xiang
Affiliation:1. Institute of Advanced Materials for Photoelectronics, Kunming University of Science and Technology,Kunming 650051, China; 2. Kunming Institute of Physics, Kunming 650032, China
Abstract:
Keywords:pulsed laser deposition(PLD)  resistance  perovskite oxide
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