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| 测量强磁场的磁阻变换器 | |
| 引用本文： | А.И.Звенигородская,刘兴民.测量强磁场的磁阻变换器[J].功能材料,1979(1). |
| 作者姓名： | А.И.Звенигородская 刘兴民 |
| 摘 要： | 为了获得可供在4.2～300K温度范围检测强磁场的灵敏度高、稳定性好、温度系数小、且具有小的传递函数——磁电阻比相对于磁场的关系R/R_o (B)——接近线性的小型变换器,研究了由InSb-NiSb共晶合金作成的磁阻变换器的量度特性。为此目的,研制了以含不同杂质元素或非合金化的电子传导型共晶合金InSb-NiSb为基的磁阻变换器。在合金化的InSb-NiSb晶体中,碲的浓度在(2～6)·10~(22)米~(-3)范围变化,而在非合金化晶体中剩余施主杂质浓度达到10~(21)米~(-3)。在共晶合金中电子的迁 |
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