| 碳化硅MOSFET电路模型及其应用 |
| |
| 引用本文： | 周郁明,刘航志,杨婷婷,王兵.碳化硅MOSFET电路模型及其应用[J].西安电子科技大学学报,2018,45(3):97-101+129. |
| |
| 作者姓名： | 周郁明 刘航志 杨婷婷 王兵 |
| |
| 作者单位： | (安徽工业大学 电气与信息工程学院，安徽 马鞍山 243002) |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51177003, 61472228)；安徽高校自然科学研究重点资助项目(KJ2016A805)；安徽省自然科学基金资助项目(1508085 MF129) |
| |
| 摘 要： | 建立了新颖的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型．在常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管等效电路模型的基础上，引入了栅极氧化层泄漏电流模型和PN结的泄漏电流模型，并用能够反映碳化硅／氧化层界面特性的迁移率模型替换常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电路模型中的常数迁移率．有关文献的实验数据验证了所建立的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电路模型的准确性．与常规碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电路模型相比，文中的电路模型能较为准确地模拟出碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的氧化层泄漏电流和短路失效现象．另外，该模型还可以用于讨论碳化硅／氧化层界面陷阱对工作在短路状态下的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管特性的影响．
|
| 关 键 词： | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 界面陷阱 迁移率 泄漏电流 短路 |
| 收稿时间： | 2017-07-23 |
Circuit model of SiC MOSFET and application |
| |
| ZHOU Yuming,LIU Hangzhi,YANG Tingting,WANG Bing.Circuit model of SiC MOSFET and application[J].Journal of Xidian University,2018,45(3):97-101+129. |
| |
| Authors: | ZHOU Yuming LIU Hangzhi YANG Tingting WANG Bing |
| |
| Affiliation: | (School of Electronic and Information Engineering, Anhui Univ. of Technology, Maanshan 243002, China) |
| |
| Abstract: | A new equivalent-circuit model of the SiC MOSFET is suggested. Based on the conventional equivalent-circuit model of the SiC MOSFET, the leakage current of the gate oxide and PN junction is included, and the invariable mobility in the conventional model is replaced by an advanced mobility model which can reflect the interface characterization of SiC／SiO2. The accuracy of the proposed model is verified by experimental results from references. Compared to the conventional model, the proposed model can simulate the gate leakage current and the failure of SiC MOSFET. In addition, the suggested model can be utilized to study the effect of interface traps on the characteristics of the SiC MOSFET operated under the short-circuit condition. |
| |
| Keywords: | SiC metal-oxide-semiconductor field effect transistor interface trap mobility leakage current short-circuit |
|
| 点击此处可从《西安电子科技大学学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《西安电子科技大学学报》下载全文 |
