| 电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔 |
| |
| 引用本文： | 徐少辉,熊祖洪,顾岚岚,柳毅,丁训民,侯晓远.电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔[J].半导体学报,2002,23(3):272-275. |
| |
| 作者姓名： | 徐少辉 熊祖洪 顾岚岚 柳毅 丁训民 侯晓远 |
| |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;59832100; |
| |
| 摘 要： | 用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数--周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响,并用了以HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中,不但要考虑到HF酸对硅的纵向电流腐蚀,也要考虑到HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀.可通过选取合适的周期、占空比,使二者对多孔硅的作用达到适中,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔.并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数,根据优化的实验参数,制备出了发光峰半峰宽为6nm的多孔硅微腔.
|
| 关 键 词： | 多孔硅 微腔 光致发光 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)03-0272-04 |
| 修稿时间： | 2001年1月15日 |
Narrow-Line Light Emission from Porous Silicon Microcavities Prepared by Pulsed Electrochemical Etching Method |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
