| AlGaN基深紫外发光二极管空穴注入效率的提高途径 |
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| 引用本文： | 田康凯,楚春双,毕文刚,张勇辉,张紫辉. AlGaN基深紫外发光二极管空穴注入效率的提高途径[J]. 激光与光电子学进展, 2019, 56(6): 1-15 |
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| 作者姓名： | 田康凯 楚春双 毕文刚 张勇辉 张紫辉 |
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| 作者单位： | 河北工业大学电子信息工程学院微纳光电和电磁技术创新研究所,天津300401;天津市电子材料和器件重点实验室,天津300401;河北工业大学电子信息工程学院微纳光电和电磁技术创新研究所,天津300401;天津市电子材料和器件重点实验室,天津300401;河北工业大学电子信息工程学院微纳光电和电磁技术创新研究所,天津300401;天津市电子材料和器件重点实验室,天津300401;河北工业大学电子信息工程学院微纳光电和电磁技术创新研究所,天津300401;天津市电子材料和器件重点实验室,天津300401;河北工业大学电子信息工程学院微纳光电和电磁技术创新研究所,天津300401;天津市电子材料和器件重点实验室,天津300401 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;河北省自然科学基金;天津市自然科学基金;留学人员科技活动择优资助项目;河北省百人计划;河北省高等学校百名优秀创新人才支持计划 |
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| 摘 要： | 目前,发光波长短于360nm的深紫外发光二极管(DUV LEDs)的外量子效率(EQE)普遍低于10%。一方面,基于高AlN组分AlGaN材料量子阱的出光中存在大量的横磁(TM)模式的偏振光,这极大程度上降低了DUV LEDs器件的光提取效率(LEE);另一方面,受限于现阶段AlGaN材料的外延生长水平,DUV LEDs器件的晶体质量普遍比较差,增加了有源区内非辐射复合率,造成DUV LEDs器件内量子效率(IQE)的衰减。除此之外,载流子注入效率也严重影响着DUV LEDs器件的IQE,尤其是空穴注入效率。为此,研究人员开展了大量的研究来提高空穴注入效率,从而改善DUV LEDs器件的EQE。着重总结探讨了近年来提高DUV LEDs器件空穴注入效率的诸多措施,深刻揭示了其中的物理机理,对改善DUV LEDs的器件性能具有重要的意义。
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| 关 键 词： | 光学器件 ALGAN 深紫外发光二极管 外量子效率 空穴注入效率 光输出功率 |
Hole Injection Efficiency Improvement for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes |
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| Tian Kangkai,Chu Chunshuang,Bi Wengang,Zhang Yonghui,Zhang Zihui. Hole Injection Efficiency Improvement for AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2019, 56(6): 1-15 |
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| Authors: | Tian Kangkai Chu Chunshuang Bi Wengang Zhang Yonghui Zhang Zihui |
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| Affiliation: | (Institute of Micro-Nano Photoelectron and Electromagnetic Technology Innovation,School of Electronics and Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300401,China;Key Laboratory of Electronic Materials and Devices of Tianjin,Tianjin 300401,China) |
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| Abstract: | Tian Kangkai;Chu Chunshuang;Bi Wengang;Zhang Yonghui;Zhang Zihui(Institute of Micro-Nano Photoelectron and Electromagnetic Technology Innovation,School of Electronics and Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300401,China;Key Laboratory of Electronic Materials and Devices of Tianjin,Tianjin 300401,China) |
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| Keywords: | optical devices AlGaN:deep ultraviolet LEDs external quantum efficiency hole injection efficiency light output power |
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